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Festkörperchemie 1998 (Nachr. Chem. Tech. Lab. 47 (1999) 143-153)

...Durch die Erweiterung auf Ober- und Grenzflächen hat eines der grundlegenden Instrumente der Kristallchemie, die Betrachtung von Gitterpotentialen, eine wesentliche und aktuelle Erweiterung erfahren. So kann beispielsweise ein "Surface Madelung Factor" berechnet werden, der unabhängig von der Gitterkonstante ist und bezüglich einer bestimmten Oberfläche für alle Mitglieder eines Strukturtyps den gleichen Wert hat. Damit lassen sich Coulomb-Potentiale in und zwischen epitaktisch verknüpften Kristallen berechnen. Mit Hilfe dieser Potentiale sollte eine Aussage über Stabilität und Reaktivität von Ober- und Grenzflächen von Ionenkristallen möglich sein...

[1]	Die Berechnung von Gitterpotentialen und Elektronenlokalisierungsfunktionen (ELF) an ausgewählten MX, MX2 und MXY-Verbindungen und Untersuchungen zur Kristallchemie von gemischten Halogeniden des Zinns SnFX (X = Cl, Br, I) (Volltext)
	T. Beyer, Dissertation, Universität des Saarlandes, 1996
[2]	Zur Berechnung von Gitterpotentialen in Kristallen und an Kristalloberflächen und deren Anwendung in der Strukturchemie
	T. Beyer, Diplom-Arbeit, Universität des Saarlandes, 1993
[3]	Assoziation symmetrischer Elektrolyte in wäßrigen Lösungen
	T. Beyer, PC-F-Praktikum, Universität des Saarlandes, 1992
[4]	Synthese linearer Polyammoniumionen und die Untersuchung ihres Komplexierungsverhaltens mit DNA
	T. Beyer, Organik-F-Praktikum, Universität des Saarlandes, 1991

[1]	Lattice Potentials as an Instrument in Crystal Chemistry; Part V: Applications to Crystal Interfaces (Abstract)
	H.P. Beck, T. Beyer, Z. Kristallogr. 213 (1998) 501-509
[2]	Lattice Potentials as an Instrument in Crystal Chemistry; Part IV: Surface Madelung Factors (Abstract)
	T. Beyer, H.P. Beck, Z. Kristallogr. 213 (1998) 450-455
[3]	Lattice Potentials as an Instrument in Crystal Chemistry; Part III: Applications to Surfaces (Abstract)
	H.P. Beck, T. Beyer, Z. Kristallogr. 212 (1997) 572-576
[4]	Lattice Potentials as an Instrument in Crystal Chemistry; Part II: Applications to the Crystal Bulk (Abstract)
	H.P. Beck, T. Beyer, Z. Kristallogr. 212 (1997) 565-571
[5]	Lattice Potentials as an Instrument in Crystal Chemistry; Part I: Theory and Calculation (Abstract)
	T. Beyer, H.P. Beck, Z. Kristallogr. 212 (1997) 559-564
[6]	MAPSE und MAPCE, zwei neue Konzepte zur Charakterisierung von Ober- und Grenzflächenenergien in Ionenkristallen
	T. Beyer, H.P. Beck, Kurzvortrag und Posterbeitrag zur 6. Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallographie (DGK) vom 02. bis 05. März 1998 in Karlsruhe
[7]	Neue Einblicke in Kristallstrukturen mit Hilfe von Gitterpotentialberechnungen
	T. Beyer, H.P. Beck, in: Proceedings of the 11th Workshop "Computer in Chemistry" der GDCh Fachgruppe "Chemie-Information-Computer (CIC)" in Paderborn 1996 (Eds. G. Fels, V. Schubert), Pabeba Verlag Paderborn 1997, S. 102-109
[8]	The calculation of lattice potentials in bulk and on surfaces as an instrument in crystal chemistry
	T. Beyer, St. Appel-Colbus, Vortrag zum "1st Kiel Workshop on the Application of Computer Simulations in Mineralogy": Macroscopic Properties from Lattice Energy and Lattice Dynamics Calculation" vom 17.-21.03.1997 in Kiel
[9]	Neue Einblicke in Kristallstrukturen mit Hilfe von Gitterpotentialberechnungen
	T. Beyer, H.P. Beck, Posterbeitrag zur 11. Vortragstagung der GDCh-Fachgruppe Chemie-Information-Computer (CIC) "Information und Wissen am Arbeits- und Ausbildungsplatz des Chemikers" vom 17.11. - 19.11.1996 in Paderborn
[10]	Neue Einblicke in Kristallstrukturen mit Hilfe von Gitterpotentialberechnungen
	T. Beyer, H.P. Beck, Posterbeitrag zur 8. Vortragstagung der GDCh-Fachgruppe Festkörperchemie "Phasenumwandlungen und Reaktionen in Festkörpern" vom 20.03. bis 22.03.1996 in Bonn
[11]	Die Berechnung von Gitter- und Oberflächenpotentialen als kristallchemisches Instrument
	T. Beyer, H.P. Beck, Posterbeitrag zur 7. Vortragstagung der GDCh-Fachgruppe Festkörperchemie "Festkörperchemie als Grundlage der Materialforschung" vom 31.08. bis 02.09.1994 in Bonn

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